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[发明专利]磁阻传感器-CN201680033634.4有效
发明人：里卡多·亚历山大·德·玛托斯·安图尼斯·费雷拉;埃尔维拉·佩雷斯·德·科洛西亚·帕斯 -专利权人： INL-国际伊比利亚纳米技术实验室
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻传感器。磁阻传感器包括磁性传感层、磁性参考层、以及位于磁性传感层与磁性参考层之间的隧道势垒层。磁阻传感器还包括具有反铁磁材料层的传感交换层。传感交换层与磁性传感层交换耦合。此外，磁阻传感器进一步包括具有反铁磁材料层的参考交换层。参考交换层与磁性参考层交换耦合。另外，磁阻传感器被配置为，在没有外部磁场的情况下，使得钉扎参考层的交换偏置沿着参考方向，钉扎传感层的交换偏置沿着与参考方向正交的第一方向，并且传感层的磁各向异性平行于第一方向。
磁阻传感器

[发明专利]磁阻传感器-CN202210008817.8在审
发明人： I·S·弗兰普顿;A·拉森 -专利权人：科勒公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：印刷电路板包括磁阻线圈，该磁阻线圈配置成在存在磁通的情况下产生电压。导磁元件具有定位成邻近于电机的转子的第一端部，以及定位成邻近于印刷电路板的线圈的第二端部。在一些示例中，转子的旋转引起穿过导磁元件的磁通发生变化并产生跨磁阻线圈的电压。
磁阻传感器

[发明专利]磁阻传感器-CN201410294225.2有效
发明人： E·W·辛格尔顿;K·尼古拉维;谭利文;李宰荣;V·B·萨波日尼科夫;M·S·U·帕特瓦瑞 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻传感器。此处公开的设备包括具有第一层的传感器叠层以及与第一层接近的AFM稳定的底部护罩，其中AFM稳定的底部护罩被磁耦合至第一层。
磁阻传感器

[发明专利]磁阻传感器-CN201510238926.9有效
发明人： Z·卢;D·哈赛特;P·麦艾辛尼;J·许 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁阻传感器。本文公开的实现方式提供一种包括传感器结构的装置，该传感器结构包括顶部屏蔽和底部屏蔽，该顶部屏蔽包括顶部屏蔽合成反铁磁层，该底部屏蔽包括底部屏蔽合成反铁磁层。
磁阻传感器

[发明专利]磁阻传感器-CN201210511258.9有效
发明人：刘富台;傅乃中 -专利权人：宇能电科技股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁阻传感器包含一基板、一磁阻传感元件、一电路组件及一屏蔽组件。所述基板具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面。磁阻传感元件、电路组件与屏蔽组件位于基板的第一表面上。所述屏蔽组件位于磁阻传感元件与电路组件之间、至少包含一磁性材料。
磁阻传感器

[发明专利]磁阻传感器-CN201110213647.9有效
发明人：金·范乐;弗雷德里克·W·M·凡黑尔蒙特;亚普·鲁伊戈罗克;安德烈亚斯·B·M·扬斯曼;罗伯特·H·M·范费尔德温 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：公开了一种磁阻传感器，包括第一和第二磁阻元件。每个磁阻元件在各自的第一端处耦接至公共接地端子，并且每个磁阻元件包括一个或多个磁阻段(12a-12d，14a-14d)，每个磁阻段位于激励线圈的相应段(10a-10d，11a-11d)上面。第一和第二磁阻元件中每一个的磁阻段(12a-12d，14a-14d)的电阻相同，并且与第一磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻和与第二磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻相同。
磁阻传感器

[实用新型]磁阻传感器-CN89207233.4无效
发明人：王元玮;于朴;田跃 -专利权人：王元玮;于朴;田跃
申请日： 1989-05-22 - 公布日： 1990-02-14 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：磁阻传感器是利用磁阻材料制成的传感器。本实用新型由基片(1)、磁阻片(2)、引线(3、3′)组成，基片可用陶瓷、铁氧体、氧化铝或塑料经抛磨而成，磁阻片是采用磁阻材料薄片粘接在磨平的基片上，磁阻片光刻成谜宫式形状。
磁阻传感器

[发明专利]磁阻传感器-CN200880010791.9无效
发明人：汉斯·贝维;斯蒂芬·扬森;特尼斯·让·伊金克;哈里斯·迪里克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种高性能集成AMR传感器，其具有用于对传感器输出进行信号调节的补偿和反位线圈。至少一个线圈被形成在层叠板中，该层叠板在一个封装内将AMR传感器与其IC连接起来。结果可将AMR传感器的模区域尺寸和封装大小保持得很小。
磁阻传感器

[实用新型]一种基于磁阻传感器的三轴磁场计-CN201720596994.7有效
发明人：邢显国 -专利权人：陕西瑞特测控技术有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于磁阻传感器的三轴磁场计，包括X轴磁阻传感器、Y轴磁阻传感器、Z轴磁阻传感器、恒流源电路、置位/复位电路、核心CPU、RS485接口电路，X轴磁阻传感器、Y轴磁阻传感器和Z轴磁阻传感器分别与核心CPU连接，具体来说X轴磁阻传感器、Y轴磁阻传感器和Z轴磁阻传感器的输出端与CPU的采集端口连接。解决了磁通门传感器成本高、体积大以及霍尔传感器测量精度低的问题。
一种基于磁阻传感器磁场

[发明专利]多轴磁阻传感器封装-CN201610773374.6有效
发明人： K.R.纳加卡;P.W.洛林 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01D5/16 文献下载
摘要：公开用于提供在至少一个维度上具有减小大小的位置和取向传感器封装的系统和方法。该位置和取向传感器封装包含电介质衬底以及附连到电介质衬底的第一磁阻传感器芯片，第一磁阻传感器芯片包含至少一个磁阻传感器电路。位置和取向传感器封装还包含附连到电介质衬底并且定位成与第一磁阻传感器芯片相邻的第二磁阻传感器芯片，第二磁阻传感器芯片包含至少一个磁阻传感器电路。位置和取向传感器封装被构造,使得第一磁阻传感器芯片的至少一个磁阻传感器电路在与第二磁阻传感器芯片的至少一个磁阻传感器电路不同的方向上定向。
磁阻传感器封装

[发明专利]一种用于磁阻器件的激光编程写入装置及方法-CN202110247124.X有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;周志敏 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01D5/16 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于磁阻器件的激光编程写入装置及方法，该装置包括：依次层叠设置的衬底、磁阻传感器和热控制层，磁阻传感器与热控制层之间设置有用于电隔离的非磁性绝缘层，磁阻传感器由磁阻传感单元构成，磁阻传感单元为具有反铁磁层的多层薄膜堆叠结构；激光编程写入装置用于在激光编程写入阶段，改变热控制层和/或磁阻传感器的膜层参数，以调节磁阻传感器的温度随激光功率的变化率，并增加或减小同一激光功率写入磁阻传感器的温度，膜层参数包括膜层材料和膜层厚度中的至少一种本发明实施例，实现了磁阻传感器的高精度激光写编程，改善磁阻传感器的制造缺陷，提高了磁阻传感器的性能，进而改善磁阻传感器的检测精度。
一种用于磁阻器件激光编程写入装置方法

[实用新型]一种基于磁阻传感器的无线充电线圈位置检测装置-CN202020165910.6有效
发明人：薛静云;付永升;姚飞 -专利权人：薛静云;付永升;姚飞
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H02J50/90 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于磁阻传感器的无线充电线圈位置检测装置，包括：第一至第四磁阻传感器以及处理器，第一至第四磁阻传感器放置在无线充电线圈的接收线圈内侧，所述第一至第四磁阻传感器分别将输出信号传输至处理器；所述接收线圈为长方形线圈，第一磁阻传感器和第三磁阻传感器靠近长方形线圈的两个长边设置，并且所述第一磁阻传感器和第三磁阻传感器沿所述长边方向错位设置；第二磁阻传感器和第四磁阻传感器靠近长方形线圈的两个短边设置，并且所述第二磁阻传感器和第四磁阻传感器沿所述短边方向相对设置。本实用新型采用四个磁阻传感器检测接收线圈不同位置的磁场变化情况，使接收线圈位置能够精确定位，具有精度高、稳定性好的优点。
一种基于磁阻传感器无线充电线圈位置检测装置

[发明专利]用于速度测量的磁场传感器、系统和方法-CN202010293008.7在审
发明人：克劳斯·莱曼;哈特穆特·马茨;马克·艾斯勒;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01P3/49 文献下载
摘要：一种传感器包括第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件，所述第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件被配置成响应于外部磁场而产生对应的第一输出信号和第二输出信号。所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件形成梯度单元，所述磁阻传感器元件中的每个磁阻传感器元件包括具有涡旋磁化图案的感测层。处理电路耦接到所述传感器元件并且被配置成产生作为所述梯度单元的所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件的所述第一输出信号与所述第二输出信号之间的差的差分输出信号。系统包括产生外部磁场的编码器和具有一个或多个梯度单元的传感器，其中所述梯度单元可以以二阶梯度感测配置布置。
用于速度测量磁场传感器系统方法

[实用新型]搭配磁阻元件的蓝牙耳机-CN201920353257.3有效
发明人：沈霄;陈旭骅;蒋茂刚;杨鹤俊 -专利权人：上海麦歌恩微电子股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种搭配磁阻元件的蓝牙耳机，所述蓝牙耳机包括：第一耳机部件、第二耳机部件、控制器；第一耳机部件包括磁阻传感器，所述磁阻传感器包括AMR磁阻传感器、TMR磁阻传感器、GMR磁阻传感器中的至少一个；第二耳机部件包括第一磁性机构；控制器，连接所述磁阻传感器，接收所述磁阻传感器根据感应到的磁场信号而发送的设定信号。本实用新型提出的搭配磁阻元件的蓝牙耳机，可获取耳机脱开和吸合的信号。
磁阻传感器耳机部件蓝牙耳机磁阻元件搭配本实用新型控制器磁场信号磁性机构脱开耳机吸合发送

[发明专利]一种磁阻传感器温度补偿装置-CN201611019659.7有效
发明人：欧阳勇;胡军;何金良;王善祥;王中旭;赵根;曾嵘;庄池杰;张波;余占清 -专利权人：清华四川能源互联网研究院;清华大学
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G01D3/036 文献下载
摘要：本发明涉及传感器设计领域，针对现有技术存在的问题，提供一种磁阻传感器温度补偿装置，其在现有的磁阻传感器的放大电路或者磁阻传感器供电电源部分进行特殊设计，对磁阻传感器的温度特性进行补偿，以取得更高的精度。本发明通过基准电源给磁阻传感器供电；温度补偿运放放大电路对磁阻传感器温度进行补偿及放大，当温度补偿运放放大电路中增益电阻器R
一种磁阻传感器温度补偿装置

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